簡要描述：簡要描述：感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質(zhì)量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應(yīng)速率較高等優(yōu)點(diǎn)。

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感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備

ICP-CVD 感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD）是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質(zhì)量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應(yīng)速率較高等優(yōu)點(diǎn)。

SYSKEY感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備的ICP-CVD可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
奈米碳管與石墨烯製程。 SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程。二維材料。醫(yī)療和商業(yè)產(chǎn)品的耐磨薄膜。	陽極電鍍處理鋁腔。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá) 12寸晶圓。腔體壓力：50~10-3 Torr。精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴(kuò)充10條氣體管線。穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至700°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿範(fàn) 圍為50W ~2000W，滿足客戶ICP-CVD製程需求。	可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用於腔體清潔。橢圓偏振光譜儀。發(fā)射光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

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