森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500是一款由SENTECH（德國森泰克）公司研發(fā)并生產(chǎn)的電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統(tǒng)。該產(chǎn)品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設(shè)計(jì)，在半導(dǎo)體制造、微納加工等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對SI500產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕：

高速率刻蝕：

內(nèi)置ICP等離子源：

動態(tài)溫控：

靈活性和模塊化設(shè)計(jì)：

二、應(yīng)用領(lǐng)域

森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微納加工、MEMS制造等領(lǐng)域。它可以用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導(dǎo)體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

三、產(chǎn)品規(guī)格

型號：SI500

品牌：SENTECH（德國森泰克）

產(chǎn)地：德國

工藝溫度范圍：根據(jù)不同型號，工藝溫度范圍有所不同，如-150°C至+400°C

晶圓尺寸：最大可處理200mm晶圓

四、總結(jié)

SI500作為一款先進(jìn)的電感耦合等離子體干法刻蝕系統(tǒng)，以其低損傷、高速率、高精度以及靈活的模塊化設(shè)計(jì)，在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域展現(xiàn)出了的性能和廣泛的應(yīng)用前景。無論是科研還是工業(yè)生產(chǎn)，SI500都能提供SI500是一款由SENTECH（德國森泰克）公司研發(fā)并生產(chǎn)的電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統(tǒng)。該產(chǎn)品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設(shè)計(jì)，在半導(dǎo)體制造、微納加工等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對SI500產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕：

高速率刻蝕：

內(nèi)置ICP等離子源：

動態(tài)溫控：

靈活性和模塊化設(shè)計(jì)：

二、應(yīng)用領(lǐng)域

SI500ICP干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微納加工、MEMS制造等領(lǐng)域。它可以用于加工各種材料，包括三五族化合物半導(dǎo)體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

三、產(chǎn)品規(guī)格

型號：SI500

品牌：SENTECH（德國森泰克）

產(chǎn)地：德國

最大晶圓片尺寸：200mm（部分型號可支持更大尺寸）

襯底溫度范圍：根據(jù)型號不同，可從-150°C至+400°C

自動化程度：提供不同級別的自動化裝置，從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口

四、總結(jié)

SI500作為一款先進(jìn)的電感耦合等離子體干法刻蝕系統(tǒng)，以其低損傷、高速率、高精度和靈活性的設(shè)計(jì)特點(diǎn)，在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域展現(xiàn)出性能和廣泛的應(yīng)用前景。無論是對于科研機(jī)構(gòu)還是工業(yè)生產(chǎn)企業(yè)而言，SI500都是一個值得考慮的高性能刻蝕設(shè)備。SI500是一款由SENTECH（德國森泰克）公司研發(fā)并生產(chǎn)的電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統(tǒng)。該產(chǎn)品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設(shè)計(jì)，在半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。以下是對SI500產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)特點(diǎn)

低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕：由于等離子的能量分布低，SI500能夠?qū)崿F(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕，特別適用于對材料表面質(zhì)量要求高的應(yīng)用場景。

高速率刻蝕：在MEMS制造工藝中，SI500能夠?qū)崿F(xiàn)Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕，提高生產(chǎn)效率。

內(nèi)置ICP等離子源：采用平板三螺旋天線（PTSA）等離子源，這是SENTECH離子工藝系統(tǒng)，能夠生成高密度低能量分布的等離子體，適用于多種材料的刻蝕工藝。

動態(tài)溫控：ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動態(tài)溫控，工藝溫度范圍可達(dá)-150°C至+400°C，確保刻蝕過程中的溫度穩(wěn)定性和工藝質(zhì)量。

二、應(yīng)用領(lǐng)域

SI500ICP干法刻蝕系統(tǒng)可用于加工各種各樣的襯底，包括直徑高達(dá)200mm的晶片以及裝載在載片器上的零件。通過配置不同的工藝模塊，SI500可用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導(dǎo)體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

三、設(shè)計(jì)特點(diǎn)

靈活性和模塊化：SI500的設(shè)計(jì)注重靈活性和模塊化，可以根據(jù)用戶需求進(jìn)行配置和擴(kuò)展。從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高靈活性或高產(chǎn)量。

全自動控制：配備全自動控制的真空系統(tǒng)和遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的SENTECH控制軟件，以及用戶友好的通用接口，使得操作更加簡便和高效。

高精度和穩(wěn)定性：單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件，并且切換工藝非常容易。動態(tài)溫度控制技術(shù)和高耦合效率的等離子源確保了刻蝕過程的高精度和穩(wěn)定性。

四、產(chǎn)品型號

SI500系列提供了多種型號以滿足不同用戶的需求，包括但不限于：

SI500ICP等離子刻蝕機(jī)：帶預(yù)真空室，適用于200mm的晶片，襯底溫度從-20°C到300°C。

SI500C等溫ICP等離子刻蝕機(jī)：帶傳送腔和預(yù)真空室，襯底溫度從-150°C到400°C。

SI500RIE：RIE等離子刻蝕機(jī)，背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案，電容耦合等離子體源可升級成ICP等離子體源PTSA。

SI500-300ICP等離子刻蝕機(jī)：帶預(yù)真空室，適用于300mm晶片。

綜上所述，SI500作為一款先進(jìn)的電感耦合等離子體干法刻蝕系統(tǒng)，以技術(shù)性能、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域以及靈活的設(shè)計(jì)特點(diǎn)，在微納加工領(lǐng)域具有重要地位。