簡要描述：簡要描述：感應耦合電漿蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

產品詳情

感應耦合電漿蝕刻（ICP）蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率?？梢愿鶕u程要求通過調節(jié)來自射頻發(fā)生器的直流偏壓來控制離子和電子能量。

SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準度的薄膜蝕刻。

感應耦合電漿蝕刻

感應耦合電漿蝕刻參數

應用領域	腔體
矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。光阻蝕刻。 III-V族化合物半導體（GaAsn，InP，GaN）蝕刻。微機電系統。金屬與矽蝕刻。	陽極電鍍處理鋁腔。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。具有高均勻度氣體分佈的質量流量控制器。穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至300°C或冷卻至-20°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達2000W，可增強低溫下的沉積。低損壞，高速率處理，高深寬比。基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。均勻的氣體擴散，具有優(yōu)化的氣體分佈。	靜電吸盤。蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

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