簡(jiǎn)要描述：簡(jiǎn)要描述：原子層蝕刻設(shè)備是一種的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。

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原子層蝕刻設(shè)備介紹：

原子層蝕刻設(shè)備ALE）是一種的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。

這就引起了人們對(duì)被稱為原子級(jí)蝕刻（ALE）的技術(shù)的關(guān)注，該技術(shù)克服了原子級(jí)常規(guī)蝕刻的局限性?；峨姖{的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過(guò)程，並具有去除單個(gè)薄膜層、極低的損壞率等優(yōu)點(diǎn)。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。

原子層蝕刻設(shè)備

原子層蝕刻設(shè)備參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
矽化合物蝕刻SiO2、SiN4)。微機(jī)電系統(tǒng)。金屬、矽與光阻蝕刻。	陽(yáng)極電鍍處理鋁腔。通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)12吋。蝕刻系統(tǒng)中，ICP、RIE、ALE與DRIE可在同一腔內(nèi)。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。具有高均勻氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。穩(wěn)定的溫度控制，將載臺(tái)加熱至200°C或冷卻至-20°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達(dá)2000W，可增強(qiáng)低溫下的沉積。由於使用低能量進(jìn)行蝕刻，其損傷率也是較低的。基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。均勻的氣體擴(kuò)散，具有優(yōu)化的氣體分佈。	靜電吸盤。蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)（OES，激光）相容性。可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

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